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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2016    内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 全耗尽铁电侧栅单根纳米线近红外光电探测器及制备方法 专利 专利号: 201610893709.8, 申请日期: 2016-10-13, 公开日期: 2017-11-21 作者:  1胡伟达 2王建禄 3郑定山 4骆文锦 5王鹏 6陈效双 7陆卫 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/12/12