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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2016    内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种（B、Ga）共掺ZnO/ZnCdO/GaN结型结构的中子探测器的制备方法 专利 申请日期: 2016-01-01, 作者:  黄健[1];  杨瑾[2];  季欢欢[3];  陆元曦[4];  周家伟[5] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/26 具有单边阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法 专利 申请日期: 2016-01-01, 作者:  汪琳[1];  周家伟[2];  张电[3];  季欢欢[4];  杨瑾[5] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/26 一种（B、Ga）共掺ZnO/ZnCdO/GaN结型结构的中子探测器的制备方法 专利 申请日期: 2016-01-01, 作者:  黄健[1];  杨瑾[2];  季欢欢[3];  陆元曦[4];  周家伟[5] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/26 一种（B、Ga）共掺ZnO/ZnCdO/GaN结型结构的中子探测器的制备方法 专利 申请日期: 2016-01-01, 作者:  黄健[1];  杨瑾[2];  季欢欢[3];  陆元曦[4];  周家伟[5] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/26 具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法 专利 申请日期: 2016-01-01, 作者:  王林军[1];  季欢欢[2];  杨瑾[3];  黄健[4];  吴杨琳[5] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/26 一种（B、Ga）共掺ZnO/ZnCdO/GaN结型结构的中子探测器的制备方法 专利 申请日期: 2016-01-01, 作者:  黄健[1];  杨瑾[2];  季欢欢[3];  陆元曦[4];  周家伟[5] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/26