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安徽大学 [5]
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期刊论文 [5]
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2015 [5]
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发表日期:2015
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Modulation of charge trapping and current-conduction mechanism of TiO2-doped HfO2 gate dielectrics based MOS capacitors by annealing temperature
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2015, 卷号: Vol.647, 页码: 1054-1060
作者:
X.F. Chen
;
Z.Q. Sun
;
H.S. Chen
;
J.W. Zhang
;
R. Ma
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提交时间:2019/04/22
High-k
gate
dielectrics
TiO-doped
HfO
Puttering
Current-conduction
mechanism
Determination of optical constant and electrical properties of sputtering-derived HfTiON gate dielectrics
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2015, 卷号: Vol.646, 页码: 10-15
作者:
Z.Q. Sun
;
H.S. Chen
;
Y.M. Liu
;
J.W. Zhang
;
P.H. Wang
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/04/22
HfTiON
films
Nitrogen
concentration
Electrical
properties
Leakage
current
density
Effects of boron incorporation on the structural, optical and electrical properties of sol–gel-derived ZrO2 gate dielectrics.
期刊论文
Journal of Alloys & Compounds, 2015, 卷号: Vol.649, 页码: 1273-1279
作者:
Jin,P.
;
Sun,Z.Q.
;
Zhang,M.
;
Zheng,C.Y.
;
Chen,X.F.
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/04/22
Boron
incorporation
Conduction
mechanisms
Electrical
properties
High-k
gate
dielectrics
Optical
constant
Sol–gel
Band offsets in HfTiO/InGaZnO4 heterojunction determined by X-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2015, 卷号: Vol.642, 页码: 172-176
作者:
J.G. Lv
;
X.F. Chen
;
Z.Q. Sun
;
Y.M. Liu
;
K.R. Zhu
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/04/22
Band
offset
HfTiO/InGaZnO
heterojunction
X-ray
photoelectron
spectroscopy
Thin
film
transistors
Modification of band offsets of InGaZnO4/Si heterojunction through nitrogenation treatment
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2015, 卷号: Vol.647, 页码: 1035-1039
作者:
J.G. Lv
;
X.F. Chen
;
Z.Q. Sun
;
P.H. Wang
;
X.S. Chen
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/04/24
Band
offset
InGaZnO/Si
heterojunctions
X-ray
photoelectron
spectroscopy
Thin
film
transistors
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