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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2015    专题：华南理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Performance improvement of GaN-based light-emitting diodes grown on Si(111) substrates by controlling the reactor pressure for the GaN nucleation layer growth (EI收录) 期刊论文 Journal of Materials Chemistry C, 2015, 卷号: 3, 页码: 1484-1490 作者:  Lin, Yunhao[1];  Zhou, Shizhong[1];  Wang, Wenliang[1];  Yang, Weijia[1];  Qian, Huirong[1] 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/04/25 Gallium nitride  Light emitting diodes  Metallorganic chemical vapor deposition  Nucleation  Organic chemicals  Organometallics  Silicon  Substrates  Transmission electron microscopy  X ray diffraction   Growth evolution of AlN films on silicon (111) substrates by pulsed laser deposition (EI收录) 期刊论文 Journal of Applied Physics, 2015, 卷号: 117 作者:  Wang, Haiyan[1];  Wang, Wenliang[1];  Yang, Weijia[1];  Zhou, Shizhong[1];  Lin, Zhiting[1] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/25 Aluminum nitride  Deposition  Film growth  Morphology  Pulsed laser deposition  Pulsed lasers  Silicon  Substrates  Surface morphology  Surface roughness   Investigation on the Properties of Nonpolar m-Plane GaN-Based Light-Emitting Diode Wafers Grown on LiGaO2(100) Substrates (EI收录) 期刊论文 Journal of Electronic Materials, 2015, 卷号: 44, 页码: 2670-2678 作者:  Yang, Weijia[1];  Wang, Wenliang[1];  Lin, Yunhao[1];  Liu, Zuolian[1];  Zhou, Shizhong[1] 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/04/25 Electroluminescence  Full width at half maximum  Gallium alloys  Gallium nitride  Interfaces (materials)  Light  Molecular beam epitaxy  Pulsed laser deposition  Semiconductor quantum wells  Substrates