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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2015    专题：大连理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种带有InGaN插入层的非故意掺杂高阻GaN薄膜及其制备方法 专利 申请日期: 2015-01-01, 公开日期: 2016-03-09 作者:  梁红伟;  刘建勋;  柳阳;  夏晓川;  杜国同 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/09 含InGaN插入层的非故意掺杂高阻GaN的外延生长和特性研究 会议论文 第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议, 苏州, 2015-10-30 作者:  刘建勋;  梁红伟;  夏晓川;  黄火林;  柳阳 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/09 GaN  非故意掺杂  高阻  InGaN插入层