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Damage-free back channel wet-etch process in amorphous indium-zinc-oxide thin-film transistors using a carbon-nanofilm barrier layer (EI收录SCI收录) 期刊论文
ACS Applied Materials and Interfaces, 2014, 卷号: 6, 页码: 11318-11325
作者:  Luo, Dongxiang[1,2];  Zhao, Mingjie[1,2];  Xu, Miao[1,3];  Li, Min[1,2];  Chen, Zikai[4]
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