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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2014     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Total ionizing dose (TID) effect and single event effect (SEE) in quasi-SOI nMOSFETs 期刊论文 semiconductor science and technology, 2014 Tan, Fei; Huang, Ru; An, Xia; Wu, Weikang; Feng, Hui; Huang, Liangxi; Fan, Jiewen; Zhang, Xing; Wang, Yangyuan 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/11/13 quasi-SOI device  single event effect (SEE)  total ionizing dose (TID)  worst case  TECHNOLOGIES  TRANSISTOR  CANDIDATE  MOSFET  UPSET