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| The effects of process condition of Top-TiN and TaN thickness on the effective work function of MOSCAP with high-k/metal gate stacks 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2014
作者: Chen DP(陈大鹏) ; Ma XL(马雪丽); Yang H(杨红); Wang WW(王文武); Yin HX(殷华湘)
  收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2015/05/06 |
| 级联堆叠纳米线MOS晶体管及其制作方法 专利
专利号: 10068990, 申请日期: 2014-09-24,
作者: 殷华湘,马小龙,徐唯佳,徐秋霞,朱慧珑
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2019/03/27 |
| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410464881.2, 申请日期: 2014-09-12,
作者: 殷华湘; 秦长亮; 王桂磊; 朱慧珑
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2019/03/25 |
| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201410459513.9, 申请日期: 2014-09-11,
作者: 殷华湘; 秦长亮; 马小龙; 王桂磊; 朱慧珑
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2019/03/26 |
| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201410459780.6, 申请日期: 2014-09-11,
作者: 殷华湘; 马小龙; 张严波; 朱慧珑
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2019/03/26 |
| An effective work-function tuning method of nMOSCAP with high-k/metal gate by TiN/TaN double-layer stack thickness 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2014
作者: Chen DP(陈大鹏); Ma XL(马雪丽); Yang H(杨红); Wang WW(王文武); Yin HX(殷华湘)
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2015/05/06 |
| Integration of highly-strained SiGe materials in 14nm and beyond nodes FinFET technology 期刊论文
Solid-State Electronics, 2014
作者: Li JF(李俊峰); Wang GL(王桂磊); Luo J(罗军); Guo YL(郭奕栾); Chen T(陈韬)
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2015/04/24 |
