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ALD制备InP基半导体激光器中的表面钝化方法 专利
专利号: CN104143760A, 申请日期: 2014-11-12, 公开日期: 2014-11-12
作者:  魏志鹏;  田珊珊;  方铉;  唐吉龙;  李金华
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一类黄烷化合物,其制备方法及降糖活性 专利
申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2015-11-25
作者:  张培成;  叶菲;  杨桠楠;  田金英;  贠菊平
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