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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2013     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 用于硅基铁电电容器集成的一种阻挡层材料及集成方法 专利 申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2013-07-24 作者:  刘保亭[1];  郭建新[2];  张磊[3];  齐晨光[4];  赵庆勋[5] 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/21 一种用于铜互连的导电阻挡层材料及其制备方法 专利 申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2013-12-11 作者:  刘保亭[1];  张磊[2];  齐晨光[3];  李晓红[4];  代秀红[5] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/21 含Ni-Nb阻挡层的硅基Pb(Zr_(0.4),Ti_(0.6))O_3电容器的制备及铁电性能研究 期刊论文 人工晶体学报, 2013, 卷号: 42, 期号: 2, 页码: 282-285 作者:  赵庆勋[1];  齐晨光[2];  贾冬梅[3];  付跃举[4];  郭建新[5] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/21 Ni-Nb阻挡层  Pb(Zr_(0.4)  Ti_(0.6))O_3  La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3