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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2013     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 真空退火温度对射频磁控溅射制备非晶In-Ga-Zn-O薄膜性能影响的研究 期刊论文 人工晶体学报, 2013, 卷号: 42, 期号: 11, 页码: 2304-2308 作者:  闫小兵[1];  张二鹏[2];  贾长江[3];  史守山[4];  娄建忠[5] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/21 In-Ga-Zn-O薄膜  退火温度  磁控溅射  光学带隙   一种阻变存储元件及其制备方法 专利 申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2013-12-25 作者:  闫小兵[1];  贾长江[2];  郝华[3];  陈英方[4];  娄建忠[5] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/21 溅射功率对射频磁控溅射制备非晶In-Ga-Zn-O薄膜的影响 期刊论文 人工晶体学报, 2013, 卷号: 42, 期号: 7, 页码: 1343-1346,1352 作者:  张锁良[1];  贾长江[2];  郝彦磊[3];  史守山[4];  张二鹏[5] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/21 In-Ga-Zn-O薄膜  溅射功率  电阻率  禁带宽度  透过率