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科研机构
微电子研究所 [2]
内容类型
会议论文 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
2013 [2]
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发表日期:2013
专题:微电子研究所
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Optimization of HfO2 Growth Pr℃ess by Atomic Layer Deposition (ALD) for High Performance Charge Trapping Flash Memory Application
期刊论文
ECS transactions, 2013
作者:
Liu M(刘明)
;
Chen GX(陈国星)
;
Huo ZL(霍宗亮)
;
Zhao SJ(赵盛杰)
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2014/10/22
Effect of Pre-annealing to Blocking Oxide on the Performance of Dual Trapping-layer Engineered Charge Trapping Memory
会议论文
作者:
Huo ZL(霍宗亮)
;
Liu M(刘明)
;
Chen GX(陈国星)
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2014/10/22
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