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| 剖面改善的牺牲栅主体形成方法及半导体器件制造方法 专利
申请日期: 2013-11-15,
作者: 殷华湘; 朱慧珑; 赵治国
  收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2018/04/24 |
| 后栅工艺中伪栅器件及半导体器件的形成方法 专利
申请日期: 2013-10-11,
作者: 赵治国; 朱慧珑; 殷华湘
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2018/04/10 |
| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: 9865686, 申请日期: 2013-08-12,
作者: 殷华湘,朱慧珑,马小龙
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/03/27 |
| FinFET器件及其制作方法 专利
申请日期: 2013-08-06,
作者: 马小龙; 徐唯佳; 徐秋霞; 朱慧珑; 殷华湘
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2017/06/12 |
| FinFET器件及其制作方法 专利
专利号: CN201310275191.8, 申请日期: 2013-07-02,
作者: 殷华湘; 马小龙; 徐唯佳; 徐秋霞; 朱慧珑
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2019/03/26 |
| 半导体制造方法 专利
专利号: CN201310215646.7, 申请日期: 2013-05-31,
作者: 殷华湘; 罗军; 陈率; 朱慧珑
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2019/03/26 |
| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201310141764.8, 申请日期: 2013-04-22,
作者: 殷华湘; 洪培真; 孟令款; 朱慧珑
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2019/03/26 |
| FinFET及其制造方法 专利
申请日期: 2013-04-08,
作者: 洪培真; 朱慧珑; 殷华湘
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2018/04/03 |
