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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2013    学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of V-defects on the performance deterioration of InGaN_GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes with varying barrier layer thickness 期刊论文 journal of applied physics, 2013, 卷号: 114, 期号: 14, 页码: 143706 Le, L. C.; Zhao, D. G.; Jiang, D. S.; Li, L.; Wu, L. L.; Chen, P.; Liu, Z. S.; Yang, J.; Li, X. J.; He, X. G.; Zhu, J. J.; Wang, H.; Zhang, S. M.; Yang, H. 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2014/04/09 High efficient GaN-based laser diodes with tunnel junction 期刊论文 applied physics letters, 2013, 卷号: 103, 期号: 4, 页码: 043508 M. X. Feng, J. P. Liu, S. M. Zhang, D. S. Jiang, Z. C. Li, K. Zhou, D. Y. Li, L. Q. Zhang, F. Wang, H. Wang, P. Chen, Z. S. Liu, D. G. Zhao, Q. Sun, H. Yang 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2014/04/09 Shock-induced brittle cracking in HVPE-GaN processed by laser lift-off techniques 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2013, 卷号: 46, 期号: 20, 页码: 205103 Su, X. J.; Xu, K.; Xu, Y.; Ren, G. Q.; Zhang, J. C.; Wang, J. F.; Yang, H. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/08/27 Electrical and optical inhomogeneity in N-face GaN grown by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2013, 卷号: 372, 页码: 43-48 Su, X. J.; Xu, K.; Ren, G. Q.; Wang, J. F.; Xu, Y.; Zeng, X. H.; Zhang, J. C.; Cai, D. M.; Zhou, T. F.; Liu, Z. H.; Yang, H. 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/08/27