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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2012     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A Self-Rectifying HfOx-Based Unipolar RRAM With NiSi Electrode 期刊论文 ieee electron device letters, 2012 Tran, X. A.; Zhu, W. G.; Gao, B.; Kang, J. F.; Liu, W. J.; Fang, Z.; Wang, Z. R.; Yeo, Y. C.; Nguyen, B. Y.; Li, M. F.; Yu, H. Y. 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2015/11/12 Resistive random access memory (RAM) (RRAM)  resistive switching  self-rectify  unipolar  MEMORY