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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2012    专题：大连理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Dominant UV emission from p-MgZnO/n-GaN light emitting diodes 期刊论文 OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2012, 卷号: 2, 页码: 38-44 作者:  Xia, Xiaochuan;  Shen, Rensheng;  Liu, Yuanda;  Yang, Dechao;  Song, Shiwei 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/13 基于InN和ZnO纳米结构材料的电致发光器件 会议论文 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议, 开封, 2012-11-07 作者:  杜国同;  Guotong Du;  Yuantao Zhang;  张源涛;  Guoguang Wu 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/18 发光器件  化合物半导体  纳米材料  制备工艺  性能评价   衬底弯曲度(bow)值对LED芯片性能的影响 会议论文 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议, 开封, 2012-11-07 作者:  Dechao Yang;  杨德超;  Hongwei Liang;  梁红伟;  Shiwei Song 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/18 发光二极管  弯曲度  氮化镓半导体  残余应力  芯片性能   喷淋头高度对InGaN/GaN量子阱生长的影响 会议论文 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议, 开封, 2012-11-07 作者:  Yunjie Ke;  柯昀洁;  梁红伟;  Hongwei Liang;  Rensheng Shen 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/18 化合物半导体  金属有机化学气相沉积  喷淋头高度  量子阱