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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2012 [3]
学科主题
半导体材料 [3]
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发表日期:2012
内容类型:期刊论文
专题:半导体研究所
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Numerical optimization of carrier confinement characteristics in (AlxGa1-xN/AlN)SLs/GaN heterostructures
期刊论文
physica b-condensed matter, 2012, 卷号: 407, 期号: 18, 页码: 3920-3924
Ding JQ (Ding, Jieqin)
;
Wang XL (Wang, Xiaoliang)
;
Xiao HL (Xiao, Hongling)
;
Wang CM (Wang, Cuimei)
;
Yin HB (Yin, Haibo)
;
Chen H (Chen, Hong)
;
Feng C (Feng, Chun)
;
Jiang LJ (Jiang, Lijuan)
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提交时间:2013/03/27
A 2 nm low temperature GaN spacer to improve the transport properties of two-dimensional electron gas in AlGaN/InAlN/AlN/GaN heterostructures
期刊论文
applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 18, 页码: 182102
Ding JQ (Ding, Jieqin)
;
Wang XL (Wang, Xiaoliang)
;
Xiao HL (Xiao, Hongling)
;
Wang CM (Wang, Cuimei)
;
Chen H (Chen, Hong)
;
Bi Y (Bi, Yang)
;
Deng QW (Deng, Qinwen)
;
Zhang JW (Zhang, Jingwen)
;
Hou X (Hou, Xun)
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2013/03/26
A 2 nm low temperature GaN spacer to improve the transport properties of two-dimensional electron gas in AlGaN/InAlN/AlN/GaN heterostructures
期刊论文
applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 18, 页码: 182102
Ding, Jieqin
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
;
Chen, Hong
;
Bi, Yang
;
Deng, Qinwen
;
Zhang, Jingwen
;
Hou, Xun
收藏
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浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2013/04/19
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