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北京大学 [5]
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其他 [5]
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2012 [5]
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发表日期:2012
内容类型:其他
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Nanoscale observations of resistive switching high and low conductivity states on TiN/HfO2/Pt structures
其他
2012-01-01
Iglesias, V.
;
Lanza, M.
;
Bayerl, A.
;
Porti, M.
;
Nafria, M.
;
Aymerich, X.
;
Liu, L. F.
;
Kang, J. F.
;
Bersuker, G.
;
Zhang, K.
;
Shen, Z. Y.
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2015/11/12
ATOMIC-FORCE MICROSCOPY
TIO2 THIN-FILMS
SIO2-FILMS
Improvement of Endurance Degradation for Oxide Based Resistive Switching Memory Devices Correlated With Oxygen Vacancy Accumulation Effect
其他
2012-01-01
Lu, Y.
;
Chen, B.
;
Gao, B.
;
Fang, Z.
;
Fu, Y. H.
;
Yang, J. Q.
;
Liu, L. F.
;
Liu, X. Y.
;
Yu, H. Y.
;
Kang, J. F.
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2015/11/13
hafnium oxide
nonvolatile memory
endurance
conductive filament
oxygen vacancy
RRAM
Multilevel Set/Reset Switching Characteristics in Al/CeOx/Pt RRAM Devices
其他
2012-01-01
Liu, L. F.
;
Hou, Y.
;
Yu, D.
;
Chen, B.
;
Gao, B.
;
Tian, Y.
;
Han, D. D.
;
Wang, Y.
;
Kang, J. F.
;
Zhang, X.
收藏
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浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2015/11/13
multilevel resistive switching
RRAM
CeOx
A Physical Based Analytic Model of RRAM Operation for Circuit Simulation
其他
2012-01-01
Huang, P.
;
Liu, X. Y.
;
Li, W. H.
;
Deng, Y. X.
;
Chen, B.
;
Lu, Y.
;
Gao, B.
;
Zeng, L.
;
Wei, K. L.
;
Du, G.
;
Zhang, X.
;
Kang, J. F.
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/13
Oxide-Based RRAM: A Novel Defect-Engineering-Based Implementation For Multilevel Data Storage
其他
2012-01-01
Kang, J. F.
;
Gao, B.
;
Chen, B.
;
Liu, L. F.
;
Liu, X. Y.
;
Yu, H. Y.
;
Wang, Z. R.
;
Yu, B.
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/13
Resistive switching memory (RRAM)
multilevel data storage
defect-engineering
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