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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2012    学科主题：Physics     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Origin of the redshift of the luminescence peak in InGaN light-emitting diodes exposed to Co-60 gamma-ray irradiation 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 卷号: 112, 期号: 12, 页码: - 作者:  Li Y. L.;  Wang X. J.;  He S. M.;  Zhang B.;  Sun L. X. 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2013/11/07 An Integrated Phase Change Memory Cell with Dual Trench Epitaxial Diode Selector 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 38104 Zhang, C; Song, ZT; Wu, GP; Liu, B; Wang, LH; Xu, J; Liu, Y; Wang, L; Yang, ZY; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/04/17 Germanium Nitride as a Buffer Layer for Phase Change Memory 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 107201 Zhang, X; Liu, B; Peng, C; Rao, F; Zhou, XL; Song, SN; Wang, LY; Cheng, Y; Wu, LC; Yao, DN; Song, ZT; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2013/04/17 Germanium Nitride as a Buffer Layer for Phase Change Memory 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 107201 Zhang, X; Liu, B(重点实验室）; Peng, C; Rao, F; Zhou, XL; Song, SN; Wang, LY; Cheng, Y; Wu, LC; Yao, DN; song, zt(重点实验室）; Feng, SL(重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Multidisciplinary   An Integrated Phase Change Memory Cell with Dual Trench Epitaxial Diode Selector 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 38104 Zhang, C; song, zt(重点实验室）; Wu, GP; Liu, B(重点实验室）; Wang, LH; Xu, J; Liu, Y; Wang, L; Yang, ZY; Feng, SL(重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Multidisciplinary   Germanium Nitride as a Buffer Layer for Phase Change Memory 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 107201 Zhang, X; Liu, B(重点实验室）; Peng, C; Rao, F; Zhou, XL; Song, SN; Wang, LY; Cheng, Y; Wu, LC; Yao, DN; song, zt(重点实验室）; Feng, SL(重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Multidisciplinary