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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2012 [4]
学科主题
光电子学 [4]
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发表日期:2012
学科主题:光电子学
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Effect of light Si-doping on the near-band-edge emissions in high quality GaN
期刊论文
journal of applied physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 5, 页码: 053104
Le LC (Le, L. C.)
;
Zhao DG (Zhao, D. G.)
;
Jiang DS (Jiang, D. S.)
;
Wu LL (Wu, L. L.)
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Li L (Li, L.)
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Chen P (Chen, P.)
;
Liu ZS (Liu, Z. S.)
;
Zhu JJ (Zhu, J. J.)
;
Wang H (Wang, H.)
;
Zhang SM (Zhang, S. M.)
;
Yang H (Yang, H.)
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提交时间:2013/04/02
Effect of In incorporation parameters on the electroluminescence of blue-violet InGaN/GaN multiple quantum wells grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2012, 卷号: 540, 页码: 46-48
Zhao DG (Zhao, D. G.)
;
Jiang DS (Jiang, D. S.)
;
Le LC (Le, L. C.)
;
Wu LL (Wu, L. L.)
;
Li L (Li, L.)
;
Zhu JJ (Zhu, J. J.)
;
Wang H (Wang, H.)
;
Liu ZS (Liu, Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang, S. M.)
;
Jia QJ (Jia, Q. J.)
;
Yang H (Yang, Hui)
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/03/27
Carriers capturing of V-defect and its effect on leakage current and electroluminescence in InGaN-based light-emitting diodes
期刊论文
applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 25, 页码: 252110
Le LC (Le, L. C.)
;
Zhao DG (Zhao, D. G.)
;
Jiang DS (Jiang, D. S.)
;
Zhang SM (Zhang, S. M.)
;
Yang H (Yang, H.)
;
Li L (Li, L.)
;
Wu LL (Wu, L. L.)
;
Chen P (Chen, P.)
;
Liu ZS (Liu, Z. S.)
;
Li ZC (Li, Z. C.)
;
Fan YM (Fan, Y. M.)
;
Zhu JJ (Zhu, J. J.)
;
Wang H (Wang, H.)
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2013/03/20
Positive and negative effects of oxygen in thermal annealing of p-type GaN
期刊论文
semiconductor science and technology, 2012, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 085017
Wu LL (Wu, L. L.)
;
Zhao DG (Zhao, D. G.)
;
Jiang DS (Jiang, D. S.)
;
Chen P (Chen, P.)
;
Le LC (Le, L. C.)
;
Li L (Li, L.)
;
Liu ZS (Liu, Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang, S. M.)
;
Zhu JJ (Zhu, J. J.)
;
Wang H (Wang, H.)
;
Zhang BS (Zhang, B. S.)
;
Yang H (Yang, H.)
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2013/04/02
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