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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2011    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 GeSn p-i-n photodetector for all telecommunication bands detection 期刊论文 optics express, 2011, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: 6408-6413 Su SJ; Cheng BW; Xue CL; Wang W; Cao QA; Xue HY; Hu WX; Zhang GZ; Zuo YH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：71/5  |  提交时间：2011/07/05 HIGH-PERFORMANCE  SEMICONDUCTORS  SILICON   Flattening of low temperature epitaxial Ge1-xSnx/Ge/Si(100) alloys via mass transport during post-growth annealing 期刊论文 applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 9, 页码: 4468-4471 Wang W; Su SJ; Zheng J; Zhang GZ; Xue CL; Zuo YH; Cheng BW; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：98/7  |  提交时间：2011/07/05 Germanium tin alloys  Germanium buffer  Surface morphology evolution  Mass transport  SURFACE  GROWTH  EVOLUTION  DECAY   Strained and strain-relaxed epitaxial Ge1-xSnx alloys on Si(100) substrates 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: art. no. 068103 作者:  Su SJ 收藏  |  浏览/下载：94/5  |  提交时间：2011/07/07 GeSn alloys  strained  strain-relaxed  molecular beam epitaxy   Highly efficient 1.53 mu m luminescence in ErxYb2-xSi2O7 thin films grown on Si substrate 期刊论文 materials letters, 2011, 卷号: 65, 期号: 5, 页码: 860-862 Zheng J; Tao YL; Wang W; Zhang LZ; Zuo YH; Xue CL; Cheng BW; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：66/3  |  提交时间：2011/07/05 Luminescence  Optical materials and properties  Sputtering  Thin films  PHOTOLUMINESCENCE  ER3+   Strained and strain-relaxed epitaxial Ge(1-x)Sn(x) alloys on Si(100) substrates 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 68103 Wang, W; Su, SJ; Zheng, J; Zhang, GZ; Zuo, YH; Cheng, BW; Wang, QM 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/02/06 GeSn alloys  strained  strain-relaxed  molecular beam epitaxy   Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46 Su SJ; Wang W; Cheng BW; Zhang GZ; Hu WX; Xue CL; Zuo YH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：77/4  |  提交时间：2011/07/05 Thermal stability  Molecular beam epitaxy  Germanium tin alloys  Germanium  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  LOW-TEMPERATURE  SEMICONDUCTORS  GE(001)2X1   The contributions of composition and strain to the phonon shift in Ge1-xSnx alloys 期刊论文 solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 8, 页码: 647-650 Su SJ; Wang W; Cheng BW; Hu WX; Zhang GZ; Xue CL; Zuo YH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：66/3  |  提交时间：2011/07/05 Semiconductors  Raman scattering  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  RAMAN FREQUENCIES  SEMICONDUCTORS  GE(001)2X1  SILICON  SCATTERING  GROWTH   Wavelength-Tunable Si-Based InGaAs Resonant Cavity Enhanced Photodetectors Using Sol-Gel Wafer Bonding Technology 期刊论文 ieee photonics technology letters, 2011, 卷号: 23, 期号: 13, 页码: 881-883 作者:  Cao Q 收藏  |  浏览/下载：63/5  |  提交时间：2011/07/05 Resonant cavity enhanced (RCE) photodetector  silicon photonics  sol-gel wafer bonding  thermal tuning  INTERFACIAL ENERGY  SILICON-WAFERS  HIGH-SPEED  TEMPERATURE  PHOTODIODES  MORPHOLOGY  POWER   Epitaxial growth of Ge0.975Sn0.025 alloy films on Si(001) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文 acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: article no.28101 Su SJ; Wang W; Zhang GZ; Hu WX; Bai AQ; Xue CL; Zuo YH; Cheng BW; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：59/3  |  提交时间：2011/07/05 GeSn  Ge  molecular beam epitaxy  epitaxial growth  SEMICONDUCTORS  GE(001)2X1   InP-based evanescently coupled high-responsivity photodiodes with extremely low dark current density integrated diluted waveguide at 1550 nm 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18504 Zuo YH; Cao QA; Zhang Y; Zhang LZ; Guo JC; Xue CL; Cheng BW; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：56/4  |  提交时间：2011/07/05 high responsivity  diluted waveguide  evanescent coupling  waveguide photodiode  TRAVELING-CARRIER PHOTODIODES  HIGH-POWER  1.55-MU-M WAVELENGTH  PERFORMANCE  PHOTODETECTORS  PHYSICS  DESIGN  LAYER