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浏览/检索结果: 共19条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2011    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Behavioural investigation of inn nanodots by surface topographies and phase images 期刊论文 Journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 44, 页码: 6 作者:  Deng, Qingwen;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yin, Haibo 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Structures and optical characteristics of ingan quantum dots grown by mbe 期刊论文 Rare metal materials and engineering, 2011, 卷号: 40, 期号: 11, 页码: 2030-2032 作者:  Wang Baozhu;  Yan Cuiying;  Wang Xiaoliang 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Ingan  Quantum dot  Mbe   Surface characterization of algan grown on si (111) substrates 期刊论文 Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 331, 期号: 1, 页码: 29-32 作者:  Pan, Xu;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Feng, Chun 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Island nucleation  Raman scattering  Si (111) substrate  Algan epilayers   The influence of the 1st aln and the 2nd gan layers on properties of algan/2nd aln/2nd gan/1st aln/1st gan structure 期刊论文 Applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 1211-1216 作者:  Bi, Yang;  Wang, XiaoLiang;  Yang, CuiBai;  Xiao, HongLing;  Wang, CuiMei 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Comparison of as-grown and annealed gan/ingan:mg samples 期刊论文 Journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 34, 页码: 5 作者:  Deng, Qingwen;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yin, Haibo 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/12 Characteristics of high al content algan grown by pulsed atomic layer epitaxy 期刊论文 Applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 20, 页码: 8718-8721 作者:  Pan, Xu;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yang, Cuibai 收藏  |  浏览/下载：174/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence  Raman scattering  Pulsed atomic layer epitaxy  Algan alloys   Effect of high temperature algan buffer thickness on gan epilayer grown on si(111) substrates 期刊论文 Journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032 作者:  Wei, Meng;  Wang, Xiaoliang;  Pan, Xu;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 An investigation on inxga1-xn/gan multiple quantum well solar cells 期刊论文 Journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 26, 页码: 6 作者:  Deng, Qingwen;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yin, Haibo 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Effect of aln buffer thickness on gan epilayer grown on si(1 1 1) 期刊论文 Materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 97-100 作者:  Wei, Meng;  Wang, Xiaoliang;  Pan, Xu;  Xiao, Hongling;  Wang, CuiMei 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Mocvd  Si(111)  Aln   Influence of electric field on persistent photoconductivity in unintentionally doped n-type gan 期刊论文 Applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: 3 作者:  Hou, Qifeng;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yang, Cuibai 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12