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科研机构
上海微系统与信息技术... [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2011 [1]
学科主题
Physics [1]
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发表日期:2011
学科主题:Physics
内容类型:期刊论文
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InP-based InAs/InGaAs quantum wells with type-I emission beyond 3 mu m
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 99, 期号: 8, 页码: 81914
Gu, Y
;
Zhang, YG(重点实验室)
;
Wang, K
;
Fang, X
;
Li, C
;
Cao, YY
;
Li, AZ
;
Li, YY
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提交时间:2013/05/10
Physics
Applied
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