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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2011 [2]
学科主题
半导体材料 [2]
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发表日期:2011
学科主题:半导体材料
内容类型:期刊论文
专题:半导体研究所
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The influence of the1st AlN and the2nd GaN layers on properties of AlGaN/2nd AlN/2nd GaN/1st AlN/1st GaN structure
期刊论文
applied physics a: materials science and processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 1211-1216
Bi, Yang
;
Wang, XiaoLiang
;
Yang, CuiBai
;
Xiao, HongLing
;
Wang, CuiMei
;
Peng, EnChao
;
Lin, DeFeng
;
Feng, Chun
;
Jiang, LiJuan,
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提交时间:2012/06/14
Poisson equation
Simulation of electrical properties of InxAl1- XN/AlN/GaN high electron mobility transistor structure
期刊论文
journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 8, 页码: 83003
Bi, Yang
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
;
Yang, Cuibai
;
Peng, Enchao
;
Lin, Defeng
;
Feng, Chun
;
Jiang, Lijuan,
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2012/06/14
Aluminum
Electron mobility
Gallium nitride
High electron mobility transistors
Indium
Poisson equation
Polarization
Two dimensional electron gas
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