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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2011    学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 GeSn p-i-n photodetector for all telecommunication bands detection 期刊论文 optics express, 2011, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: 6408-6413 Su SJ; Cheng BW; Xue CL; Wang W; Cao QA; Xue HY; Hu WX; Zhang GZ; Zuo YH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：71/5  |  提交时间：2011/07/05 HIGH-PERFORMANCE  SEMICONDUCTORS  SILICON   Formation of rippled surface morphology during Si/Si (100) epitaxy by ultrahigh vacuum chemical vapour deposition 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 126801 Hu WX (Hu Wei-Xuan); Cheng BW (Cheng Bu-Wen); Xue CL (Xue Chun-Lai); Su SJ (Su Shao-Jian); Wang QM (Wang Qi-Ming) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/02/22 Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46 Su SJ; Wang W; Cheng BW; Zhang GZ; Hu WX; Xue CL; Zuo YH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：74/4  |  提交时间：2011/07/05 Thermal stability  Molecular beam epitaxy  Germanium tin alloys  Germanium  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  LOW-TEMPERATURE  SEMICONDUCTORS  GE(001)2X1   The contributions of composition and strain to the phonon shift in Ge1-xSnx alloys 期刊论文 solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 8, 页码: 647-650 Su SJ; Wang W; Cheng BW; Hu WX; Zhang GZ; Xue CL; Zuo YH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：65/3  |  提交时间：2011/07/05 Semiconductors  Raman scattering  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  RAMAN FREQUENCIES  SEMICONDUCTORS  GE(001)2X1  SILICON  SCATTERING  GROWTH   Design of Waveguide Integrated Ge-Quantum-Well Electro-Absorption Modulators 期刊论文 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: article no.14204 作者:  Xue CL 收藏  |  浏览/下载：55/5  |  提交时间：2011/07/05 SILICON  PHOTODETECTORS  SI   Epitaxial growth of Ge0.975Sn0.025 alloy films on Si(001) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文 acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: article no.28101 Su SJ; Wang W; Zhang GZ; Hu WX; Bai AQ; Xue CL; Zuo YH; Cheng BW; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：57/3  |  提交时间：2011/07/05 GeSn  Ge  molecular beam epitaxy  epitaxial growth  SEMICONDUCTORS  GE(001)2X1