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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2010    内容类型：外文期刊    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A metal/Al2O3/ZrO2/SiO2/Si (MAZOS) structure for high-performance non-volatile memory application 外文期刊 2010 作者:  Zhang, MH;  Liu, M;  Long, SB;  Wang, Q;  Liu, J 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/26 Floating-gate  Layer  Devices   Investigation of resistive switching in Cu-doped HfO2 thin film for multilevel non-volatile memory applications 外文期刊 2010 作者:  Liu, Q;  Wang, Y;  Liu, M;  Yang, JH;  Zuo, QY 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/26 Rram   Resistive Switching Properties of Au/ZrO2/Ag Structure for Low-Voltage Nonvolatile Memory Applications 外文期刊 2010 作者:  Liu, M;  Liu, S;  Liu, Q;  Zhang, MH;  Long, SB 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/26 Zro2   Titanium-tungsten nanocrystals embedded in a SiO2/Al2O3 gate dielectric stack for low-voltage operation in non-volatile memory 外文期刊 2010 作者:  Liu, M;  Long, SB;  Zhang, MH;  Wang, Q;  Yang, SQ 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/26 ZrO2-Based Memory Cell With a Self-Rectifying Effect for Crossbar WORM Memory Application 外文期刊 2010 作者:  Li, YT;  Long, SB;  Zuo, QY;  Shao, LB;  Wang, Q 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/26 Nonvolatile Memory  Diode  Antifuse  Device  Al2o3