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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2010 [2]
学科主题
半导体材料 [2]
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发表日期:2010
学科主题:半导体材料
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Fermi-Level Pinning at Metal/High-k Interface Influenced by Electron State Density of Metal Gate
期刊论文
ieee electron device letters, 2010, 卷号: 31, 期号: 10, 页码: 1101-1103
Yang ZC (Yang Z. C.)
;
Huang AP (Huang A. P.)
;
Zheng XH (Zheng X. H.)
;
Xiao ZS (Xiao Z. S.)
;
Liu XY (Liu X. Y.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Chu PK (Chu Paul K.)
;
Wang WW (Wang W. W.)
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提交时间:2010/11/14
Electron state density
Fermi-level pinning (FLP)
MIS structures
work function (WF)
WORK FUNCTION
Origin of flat-band voltage sharp roll-off in metal gate/high-k/ultrathin- SiO2/Si p-channel metal-oxide-semiconductor stacks
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 13, 页码: art. no. 132908
Zheng XH (Zheng X. H.)
;
Huang AP (Huang A. P.)
;
Xiao ZS (Xiao Z. S.)
;
Yang ZC (Yang Z. C.)
;
Wang M (Wang M.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Wang WW (Wang W. W.)
;
Chu PK (Chu Paul K.)
收藏
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提交时间:2010/11/14
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