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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2010    学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of GaN Capping on the Structural and the Optical Properties of InN Nanostructures Grown by Using MOCVD 期刊论文 journal of the korean physical society, 2010, 卷号: 57, 期号: 1, 页码: 128-132 Sun YP (Sun Yuanping); Sun Y (Sun Yuanping); Cho YH (Cho Yong-Hoon); Wang H (Wang Hui); Wang LL (Wang Lili); Zhang SM (Zhang Shuming); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：514/2  |  提交时间：2010/08/17 InN  Burstein-Moss effect  Quantum confinement effect  Activation energy  FUNDAMENTAL-BAND GAP  WELL STRUCTURES  EMISSION  SINGLE