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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2009    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Photoluminescence from heterogeneous sige/si nanostructures prepared via a two-step approach strategy 期刊论文 Journal of luminescence, 2009, 卷号: 129, 期号: 9, 页码: 1073-1077 作者:  Zhou, Bi;  Pan, Shuwan;  Chen, Songyan;  Li, Cheng;  Lai, Hongkai 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2019/05/12 Heterostructure  Nanostructure  Porous si  Porous sige  Photoluminescence   Room temperature photoluminescence of tensile-strained ge/si0.13ge0.87 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate 期刊论文 Applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14, 页码: 3 作者:  Chen, Yanghua;  Li, Cheng;  Zhou, Zhiwen;  Lai, Hongkai;  Chen, Songyan 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2019/05/12 Chemical vapour deposition  Elemental semiconductors  Energy gap  Germanium  Ge-si alloys  Photoluminescence  Semiconductor epitaxial layers  Semiconductor quantum wells  Silicon  Tensile strength   Si_(0.75)Ge_(0.25)虚衬底上应变补偿Si/Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱发光 期刊论文 材料科学与工程学报, 2009, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 146-149 廖凌宏; 周志文; 李成; 陈松岩; 赖虹凯; 余金中; 王启明 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/11/23