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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2009    内容类型：其他     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Highly uniform resistive switching characteristics of TiN/ZrO2/Pt memory devices 其他 2009-01-01 Sun, B.; Liu, Y. X.; Liu, L. F.; Xu, N.; Wang, Y.; Liu, X. Y.; Han, R. Q.; Kang, J. F. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/10 bipolar memory circuits  electrodes  platinum  random-access storage  switching  thin films  titanium compounds  vacancies (crystal)  zirconium compounds  OXIDE DIODES   Current compliance-free resistive switching in nonstoichiometric CeOx films for nonvolatile memory application 其他 2009-01-01 Liu, L. F.; Sun, X.; Sun, B.; Kang, J. F.; Wang, Y.; Liu, X. Y.; Han, R. Q.; Xiong, G. C. 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13 LOW-POWER  OXIDE   Oxide-Based RRAM: Uniformity Improvement Using A New Material-Oriented Methodology 其他 2009-01-01 Gao, B.; Zhang, H. W.; Yu, S.; Sun, B.; Liu, L. F.; Liu, X. Y.; Wang, Y.; Han, R. Q.; Kang, J. F.; Yu, B.; Wang, Y. Y. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/13 RRAM  uniformity  resistive switching