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科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2009 [1]
学科主题
半导体物理 [1]
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发表日期:2009
学科主题:半导体物理
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The investigation on strain relaxation and double peaks in photoluminescence of InGaN/GaN MQW layers
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 23, 页码: art.no.235104
Zhu, JH (Zhu, J. H.)
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Wang, LJ (Wang, L. J.)
;
Zhang, SM (Zhang, S. M.)
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Wang, H (Wang, H.)
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Zhao, DG (Zhao, D. G.)
;
Zhu, JJ (Zhu, J. J.)
;
Liu, ZS (Liu, Z. S.)
;
Jiang, DS (Jiang, D. S.)
;
Qiu, YX (Qiu, Y. X.)
;
Yang, H (Yang, H.)
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提交时间:2010/03/08
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