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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2008     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 以H2Te为碲源的II-VI族半导体CdTe量子点的制备方法 专利 申请日期: 2008-01-01, 作者:  陈丽霞[1];  张建成[2];  沈悦[3];  宋振伟[4];  尤陈霞[5] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/05/06