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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2008    内容类型：专利    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 检测键合质量的红外透视成像装置及调节方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 何国荣; 郑婉华; 杨国华; 石岩; 渠红伟; 宋国锋; 陈良惠 收藏  |  浏览/下载：361/146  |  提交时间：2009/06/11 长波长垂直腔面发射激光器的结构和制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 何国荣; 渠红伟; 郑婉华; 杨国华; 宋国锋; 陈良惠 收藏  |  浏览/下载：79/3  |  提交时间：2009/06/11 采用微量金属掺杂有机受体薄膜的有机发光二极管 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 秦大山; 曹国华; 曹俊松; 曾一平; 李晋闽 收藏  |  浏览/下载：296/52  |  提交时间：2009/06/11 一种采用极化空穴注入结构的有机发光二极管 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 秦大山; 曹国华; 曹俊松; 曾一平; 李晋闽 收藏  |  浏览/下载：269/82  |  提交时间：2009/06/11 在微波、臭氧环境下ITO玻璃的处理方法与装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 曹峻松; 秦大山; 曹国华; 曾一平; 李晋闵 收藏  |  浏览/下载：90/6  |  提交时间：2009/06/11 二维纳米结构深刻蚀方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 马小涛; 郑婉华; 杨国华; 任刚; 陈良惠 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2009/06/11 采用有机电子受体层促进空穴有效注入的有机发光二极管 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 秦大山; 曹国华; 曹俊松; 曾一平; 李晋闽 收藏  |  浏览/下载：89/3  |  提交时间：2009/06/11