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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2007     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 窒化物半導体基板、窒化物半導体レーザ素子、窒化物半導体基板の製造方法、および窒化物半導体レーザ素子の製造方法 专利 专利号: JP2007189221A, 申请日期: 2007-07-26, 公开日期: 2007-07-26 作者:  伊藤 茂稔;  上田 吉裕;  湯浅 貴之;  種谷 元隆;  元木 健作 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31