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一种提高Ⅲ-Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1933263, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21
吴惠桢; 曹萌; 劳燕锋; 黄占超; 刘成; 谢正生
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一种提高Ⅲ-Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法 专利
专利号: CN1933263A, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21
作者:  吴惠桢;  曹萌;  劳燕锋;  黄占超;  刘成
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