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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2005     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 氮化物半导体分层结构以及结合该分层结构部分的氮化物半导体激光器 专利 专利号: CN1193470C, 申请日期: 2005-03-16, 公开日期: 2005-03-16 作者:  竹内哲也;  渡边智;  金子和;  山田范秀;  天野浩 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 氮化物半导体分层结构以及结合该分层结构部分的氮化物半导体激光器 专利 专利号: CN1193470C, 申请日期: 2005-03-16, 公开日期: 2005-03-16 作者:  竹内哲也;  渡边智;  金子和;  山田范秀;  天野浩 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/26