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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2005     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 GaxIn1-x缓冲层组分对InP自组装形貌影响的研究 期刊论文 2005, 卷号: 54, 期号: 4, 页码: 1726 作者:  王浩[1];  曾谷城[2];  廖常俊[1] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/10 缓冲层  半导体自组装结构  表面能  金属有机物化学气相沉积