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缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响 期刊论文
中国科学. E辑, 技术科学, 2004, 卷号: 34, 期号: 0, 页码: 1
作者:  王玉田;  张书明;  朱建军
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GaN基肖特基结构紫外探测器 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 711-714
作者:  朱建军;  王俊;  王俊;  赵德刚;  张书明
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