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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2003 [2]
学科主题
半导体材料 [1]
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发表日期:2003
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(ga,mn,n) compounds growth with mass-analyzed low energy dual ion beam deposition
期刊论文
Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 202-207
作者:
Zhang, FQ
;
Chen, NF
;
Liu, XG
;
Liu, ZK
;
Yang, SY
收藏
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提交时间:2019/05/12
X-ray diffraction
Ion beam epitaxy
Semiconducting iii-v materials
(Ga,Mn,N) compounds growth with mass-analyzed low energy dual ion beam deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 202-207
Zhang FQ
;
Chen NF
;
Liu XG
;
Liu ZK
;
Yang SY
;
Cha CL
收藏
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浏览/下载:64/0
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提交时间:2010/08/12
X-ray diffraction
ion beam epitaxy
semiconducting III-V materials
DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTORS
IMPLANTED GAN
FERROMAGNETISM
INJECTION
GAAS
MN
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