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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2003     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 MBE生长的跨导为186mS／mm的AlGaN／GaN HEMT 期刊论文 固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 5,484-488 作者:  胡国新;  王军喜;  刘宏新;  孙殿照;  曾一平 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/05/25 分子束外延  Algan／gan  高电子迁移率晶体管  氮化镓  功率器件  场效应晶体管   GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术 期刊论文 固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 142-144 作者:  刘超 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/23 MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT 期刊论文 固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 484-488 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘宏新; 孙殿照; 曾一平; 李晋闽; 孔梅影; 林兰英; 刘新宇; 刘键; 钱鹤 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/23