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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2002    专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 利用直接隧穿弛豫谱技术对超薄栅MOS结构中栅缺陷的研究 期刊论文 半导体学报, 2002 霍宗亮; 杨国勇; 许铭真; 谭长华; 段小蓉 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/10/23 隧穿  MOS器件  比例差分算符  tunneling  metal-oxide-semiconductor device  proportional difference operator