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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2000    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Cathodoluminescence on gan hexagonal pyramids on submicron dot-patterns via selective movpe 期刊论文 Applied surface science, 2000, 卷号: 167, 期号: 3-4, 页码: 149-151 作者:  Zhu, QS;  Matsushima, H;  Hiramatsu, K;  Sawaki, N 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Nitrogen vacancy scattering in n-gan grown by metal-organic vapor phase epitaxy 期刊论文 Applied physics letters, 2000, 卷号: 76, 期号: 12, 页码: 1594-1596 作者:  Zhu, QS;  Sawaki, N 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Nitrogen vacancy scattering in n-GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 2000, 卷号: 76, 期号: 12, 页码: 1594-1596 Zhu QS; Sawaki N 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 LAYER   Effect of thermal annealing on hole trap levels in Mg-doped GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文 journal of vacuum science & technology a, 2000, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 261-267 Zhu QS; Nagai H; Kawaguchi Y; Hiramatsu K; Sawaki N 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/08/12 P-TYPE GAN  DEEP LEVELS   Cathodoluminescence on GaN hexagonal pyramids on submicron dot-patterns via selective MOVPE 期刊论文 applied surface science, 2000, 卷号: 167, 期号: 3-4, 页码: 149-151 Zhu QS; Matsushima H; Hiramatsu K; Sawaki N 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  AIN BUFFER LAYER  GROWTH  FACETS  WIRES  MOCVD