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化合物半導体発光素子 专利
专利号: JP1999289109A, 申请日期: 1999-10-19, 公开日期: 1999-10-19
作者:  細羽弘之;  須山尚宏;  ▲吉▼田 智彦;  兼岩 進治;  近藤 雅文
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化合物半導体発光素子 专利
专利号: JP1999284229A, 申请日期: 1999-10-15, 公开日期: 1999-10-15
作者:  細羽弘之;  須山尚宏;  ▲吉▼田 智彦;  兼岩 進治;  近藤 雅文
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半導体レーザ素子 专利
专利号: JP2975473B2, 申请日期: 1999-09-03, 公开日期: 1999-11-10
作者:  大林 健;  須山 尚宏;  ▲吉▼田 智彦;  近藤 雅文;  細羽 弘之
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半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利号: JP2908124B2, 申请日期: 1999-04-02, 公开日期: 1999-06-21
作者:  細羽 弘之;  須山 尚宏;  ▲吉▼田 智彦;  兼岩 進治;  近藤 雅文
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半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利号: JP2875440B2, 申请日期: 1999-01-14, 公开日期: 1999-03-31
作者:  細羽 弘之;  ▲吉▼田 智彦;  兼岩 進治;  松本 晃広
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