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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 专题：近代物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 An investigation of FinFET single-event latch-up characteristic and mitigation method 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2020, 卷号: 114, 页码: 8 作者:  Li, Dongqing;  Liu, Tianqi;  Wu, Zhenyu;  Cai, Chang;  Zhao, Peixiong 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2021/12/13 TCAD  FinFET  SCR  SEL   Heavy ion track straggling effect in single event effect numerical simulation of 3D stacked devices 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2020, 卷号: 114, 页码: 10 作者:  Liu, T. Q.;  Li, D. Q.;  Cai, C.;  Zhao, P. X.;  Shen, C. 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2021/12/13 Study of the charge sensing node in the MAPS for therapeutic carbon ion beams 期刊论文 JOURNAL OF INSTRUMENTATION, 2019, 卷号: 14, 页码: 7 作者:  Zhao, C.;  Yang, X.;  Fu, F.;  Wang, Y.;  Lai, F. 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2019/11/10 Analogue electronic circuits  Instrumentation for heavy-ion therapy  Pixelated detectors and associated VLSI electronics   Effects of total ionizing dose on single event effect sensitivity of FRAMs 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 95, 页码: 1-7 作者:  Ji, Qinggang;  Liu, Jie;  Li, Dongqing;  Liu, Tianqi;  Ye, Bing 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2019/11/10 Ferroelectric random access memory  Total ionizing dose  Single event effect  TCAD simulation   The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose 会议论文 Geneva, SWITZERLAND, OCT 02-06, 2017 作者:  Zheng, Qiwen;  Cui, Jiangwei;  Lu, Wu 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2018/10/08 Charge sharing  single-event upset (SEU)  static random access memory  total ionizing dose (TID)   Investigation of flux dependent sensitivity on single event effect in memory devices 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 7, 页码: 076101 作者:  Liu, Tian-qi;  Xi, Kai;  Hou, Ming-dong;  Sun, You-mei;  Duan, Jing-lai 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2018/10/08 ion flux  single event effect  GEANT4 simulation  memory device