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Material research on the InGaAs-emitting-layer VECSEL grown on GaAs substrate 期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2016, 卷号: 42, 页码: 283-287
作者:  Lin, Tao;  Sun, Ruijuan;  Sun, Hang;  Guo, Enmin;  Duan, Yupeng
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VECSEL  MOVPE  InGaAs  
Laser module and production process thereof 专利
专利号: US7110425, 申请日期: 2006-09-19, 公开日期: 2006-09-19
作者:  YAMANAKA, FUSAO;  OKAZAKI, YOJI;  NAGANO, KAZUHIKO;  KURAMACHI, TERUHIKO
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24
Photolithographic method for fabricating organic light-emitting diodes 专利
专利号: US6506616, 申请日期: 2003-01-14, 公开日期: 2003-01-14
作者:  KIM, TAE S.;  CELII, FRANCIS G.;  JACOBS, SIMON J.
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24
Tunable fiber fabry-perot surface-emitting lasers 专利
专利号: AU1998094722A1, 申请日期: 1999-03-22, 公开日期: 1999-03-22
作者:  HSU, KEVIN;  MILLER, CALVIN M.
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/31
Semiconductor optical device and method for fabricating the same 专利
专利号: US5784183, 申请日期: 1998-07-21, 公开日期: 1998-07-21
作者:  AOKI, MASAHIRO;  TANIWATARI, TSUYOSHI;  SUZUKI, MAKOTO;  TSUTSUI, TAKAYUKI
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Semiconductor structure with flared mesa burying layers 专利
专利号: US4935936, 申请日期: 1990-06-19, 公开日期: 1990-06-19
作者:  NELSON, ANDREW W.;  HOBBS, RICHARD E.;  DEVLIN, W. JOHN;  LENTON, CHARLES G.
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Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1990154491A, 申请日期: 1990-06-13, 公开日期: 1990-06-13
作者:  OKAI MAKOTO;  SAKANO SHINJI;  UOMI KAZUHISA;  KAYANE NAOKI
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