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一种VCSEL芯片制备方法 专利
专利号: CN110190514A, 申请日期: 2019-08-30, 公开日期: 2019-08-30
作者:  田宇;  韩效亚;  吴真龙;  杜石磊
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Ultra long lifetime gallium arsenide 专利
专利号: US9704706, 申请日期: 2017-07-11, 公开日期: 2017-07-11
作者:  SCHUNEMANN, PETER G.;  ZAWILSKI, KEVIN T.
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Research on the high indium content InGaAs multiple quantum wells wafers for lambda > 1.55 mu m laser diodes 期刊论文
journal of alloys and compounds, 2015, 卷号: 631, 页码: 283-287
作者:  Lin, Tao;  Sun, Hang;  Zhang, Haoqing;  Wang, Yonggang;  Lin, Nan
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Laser diode  MOCVD  GaAs  InP  
Effects of Sb2O3 on the Mechanical Properties of the Borosilicate Foam Glasses Sintered at Low Temperature 期刊论文
advances in materials science and engineering, 2014
作者:  Zhai, Chenxi;  Li, Zhe;  Zhu, Yumei;  Zhang, Jing;  Wang, Xiuduo
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2015/03/26
半导体层及其制造方法以及激光器二极管及其制造方法 专利
专利号: CN101867156B, 申请日期: 2013-12-11, 公开日期: 2013-12-11
作者:  城岸直辉;  荒木田孝博
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一种对红光半导体激光器进行Zn扩散的方法 专利
专利号: CN103368072A, 申请日期: 2013-10-23, 公开日期: 2013-10-23
作者:  张新;  徐现刚;  张雨;  吴德华;  夏伟
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分布帰還型半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2004071678A, 申请日期: 2004-03-04, 公开日期: 2004-03-04
作者:  中山 久志;  鬼頭 雅弘;  小河 晴樹
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適於使用在長波垂直空腔表面發射隧道接合之碳摻雜GaAsSb 专利
专利号: TW200304173A, 申请日期: 2003-09-16, 公开日期: 2003-09-16
作者:  權豪基
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Light modulation 专利
专利号: US6590693, 申请日期: 2003-07-08, 公开日期: 2003-07-08
作者:  ASH, RICHARD MARK;  PARK, CHRISTOPHER ANTHONY;  HARKER, ANDREW THOMAS
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Method and system for accessing multiple rows of media objects in an automated storage library using a single track robotic mechanism 专利
专利号: WO2002047076A3, 申请日期: 2003-01-30, 公开日期: 2003-01-30
作者:  OSTWALD, TIMOTHY, C., 1121, GRANT, AVENUE, LOUISVILLE;  SMITH, FRANK, 200, ROCKY, KNOB, LANE, NEDERLAND;  FRARY, JAMES, M., 503, WEST, ASH, COURT, LOUISVILLE;  OSTWALD TIMOTHY C;  SMITH FRANK
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