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AlGaInP-based semiconductor laser 专利
专利号: US9425583, 申请日期: 2016-08-23, 公开日期: 2016-08-23
作者:  HAGIMOTO, MASATO;  FUKAI, HARUKI;  KIYOSUMI, TSUTOMU;  SASAKI, SHINJI;  KAWANAKA, SATOSHI
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Epitaxial wafer for a semiconductor light emitting device, method for fabricating the same and semiconductor light emitting device 专利
专利号: US7622745, 申请日期: 2009-11-24, 公开日期: 2009-11-24
作者:  SUZUKI, RYOJI
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Semiconductor laser having an improved window layer and method for the same 专利
专利号: US7590158, 申请日期: 2009-09-15, 公开日期: 2009-09-15
作者:  ONO, KENICHI;  TAKEMI, MASAYOSHI;  NISHIGUCHI, HARUMI
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Semiconductor laser 专利
专利号: US7298769, 申请日期: 2007-11-20, 公开日期: 2007-11-20
作者:  WATATANI, CHIKARA;  TAKEMI, MASAYOSHI;  OKUNUKI, YUICHIRO
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Optoelektronische Halbleiteranordnung auf Basis einer Nitridverbindung der Gruppe III 专利
专利号: DE69838313D1, 申请日期: 2007-10-11, 公开日期: 2007-10-11
作者:  DUGGAN GOEFFREY
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Semiconductor laser 专利
专利号: US20060083279A1, 申请日期: 2006-04-20, 公开日期: 2006-04-20
作者:  KIMURA, TATSUYA;  ONO, KENICHI
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Method of forming laser mesa by reactive ion etching followed by in situ etching in regrowth reactor 专利
专利号: GB2411520A, 申请日期: 2005-08-31, 公开日期: 2005-08-31
作者:  DANIELE, BERTONE;  SIMONE, CODATO;  ROBERTA, CAMPI
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III-Nitride optoelectronic semiconductor device containing lattice mismatched III-Nitride semiconductor materials 专利
专利号: US6695913, 申请日期: 2004-02-24, 公开日期: 2004-02-24
作者:  DUGGAN, GEOFFREY
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半導体レーザ 专利
专利号: JP3075728B2, 申请日期: 2000-06-09, 公开日期: 2000-08-14
作者:  本多 正治;  浜田 弘喜;  庄野 昌幸;  廣山 良治
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半導体レーザ 专利
专利号: JP2889645B2, 申请日期: 1999-02-19, 公开日期: 1999-05-10
作者:  浜田 弘喜
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