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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：西安光学精密机械研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Ultra-low-loss double-cladding laser fiber fabricated by optimized chelate gas phase deposition technique 期刊论文 Applied Optics, 2018, 卷号: 57, 期号: 27, 页码: 7943-7949 作者:  She, Shengfei;  Li, Weinan;  Chang, Chang;  Li, Zhe;  Zheng, Jinkun 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2018/10/26 Doped Optical-fibers  Doping Technique  Silica Glass  Power  Core  Generation   Procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur notamment d'un laser a arête enterrée, et composant fabriqué par ce procédé. 专利 专利号: FR2701165B1, 申请日期: 1995-03-31, 公开日期: 1995-03-31 作者:  GOLDSTEIN, LEON;  BONNEVIE, DOMINIQUE;  LEON, GOLDSTEIN;  DOMINIQUE, BONNEVIE 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/30 Procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur notamment d'un laser a arête enterrée, et composant fabriqué par ce procédé. 专利 专利号: FR2701165B1, 申请日期: 1995-03-31, 公开日期: 1995-03-31 作者:  GOLDSTEIN, LEON;  BONNEVIE, DOMINIQUE;  LEON, GOLDSTEIN;  DOMINIQUE, BONNEVIE 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/30 Procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur notamment d'un laser a arête enterrée, et composant fabriqué par ce procédé. 专利 专利号: FR2701165B1, 公开日期: 1995-03-31 作者:  GOLDSTEIN, LEON;  BONNEVIE, DOMINIQUE;  LEON, GOLDSTEIN;  DOMINIQUE, BONNEVIE 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26 CIRCUIT INTEGRE DE LASERS SEMICONDUCTEURS ET PROCEDE DE REALISATION DE CE CIRCUIT. 专利 专利号: FR2684237A1, 公开日期: 1993-05-28 作者:  GROUSSIN, BERNARD 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/26 Procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur notamment d'un laser a arête enterrée, et composant fabriqué par ce procédé. 专利 专利号: FR2701165B1, 公开日期: 1995-03-31 作者:  GOLDSTEIN, LEON;  BONNEVIE, DOMINIQUE;  LEON, GOLDSTEIN;  DOMINIQUE, BONNEVIE 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 Procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur notamment d'un laser a arête enterrée, et composant fabriqué par ce procédé. 专利 专利号: FR2701165B1, 公开日期: 1995-03-31 作者:  GOLDSTEIN, LEON;  BONNEVIE, DOMINIQUE;  LEON, GOLDSTEIN;  DOMINIQUE, BONNEVIE 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 Procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur notamment d'un laser a arête enterrée, et composant fabriqué par ce procédé. 专利 专利号: FR2701165B1, 公开日期: 1995-03-31 作者:  GOLDSTEIN, LEON;  BONNEVIE, DOMINIQUE;  LEON, GOLDSTEIN;  DOMINIQUE, BONNEVIE 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26 Procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur notamment d'un laser a arête enterrée, et composant fabriqué par ce procédé. 专利 专利号: FR2701165B1, 公开日期: 1995-03-31 作者:  GOLDSTEIN, LEON;  BONNEVIE, DOMINIQUE;  LEON, GOLDSTEIN;  DOMINIQUE, BONNEVIE 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26 Procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur notamment d'un laser a arête enterrée, et composant fabriqué par ce procédé. 专利 专利号: FR2701165B1, 公开日期: 1995-03-31 作者:  GOLDSTEIN, LEON;  BONNEVIE, DOMINIQUE;  LEON, GOLDSTEIN;  DOMINIQUE, BONNEVIE 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/26