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一种半导体激光器腔面钝化装置 专利
专利号: CN203180309U, 申请日期: 2013-09-04, 公开日期: 2013-09-04
作者:  王军营
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一种半导体激光器腔面钝化装置 专利
专利号: CN203180309U, 申请日期: 2013-09-04, 公开日期: 2013-09-04
作者:  王军营
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一种提高Ⅲ-Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法 专利
专利号: CN1933263A, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21
作者:  吴惠桢;  曹萌;  劳燕锋;  黄占超;  刘成
收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2020/01/18


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