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| 电注入长波长硅基纳米激光器阵列的外延材料制备方法 专利 专利号: CN108418095A, 申请日期: 2018-08-17, 公开日期: 2018-08-17 作者: 王俊; 胡海洋; 成卓; 杨泽园; 尹海鹰
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| 一种硅基量子点激光器材料的MOCVD制备方法 专利 专利号: CN105088181B, 申请日期: 2017-11-28, 公开日期: 2017-11-28 作者: 王俊; 胡海洋; 贺云瑞; 邓灿; 王琦
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| 一种太赫兹波高速调制器及其制作方法 专利 专利号: CN102520532B, 申请日期: 2014-07-09, 公开日期: 2014-07-09 作者: 张雄; 丛嘉伟; 郭浩 ; 崔一平
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| 具有含铟包层的半导体激光器 专利 专利号: CN103403985A, 申请日期: 2013-11-20, 公开日期: 2013-11-20 作者: R·巴特; D·S·兹佐夫; C-E·扎
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| 一种高质量应变的Ge/SiGe超晶格结构及其制备方法 专利 专利号: CN102162137B, 申请日期: 2013-05-29, 公开日期: 2013-05-29 作者: 刘学超; 杨建华; 施尔畏
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| 一种太赫兹波高速调制器 专利 专利号: CN202394003U, 申请日期: 2012-08-22, 公开日期: 2012-08-22 作者: 张雄; 丛嘉伟; 郭浩![](/image/person.jpg)
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| InAs/GaSb超晶格体系非制冷红外探测材料研究 学位论文 硕士: 中国科学院西安光学精密机械研究所, 2008 吴雷学
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| Ⅲ族氮化物半导体蓝色发光器件 专利 专利号: CN1431722A, 申请日期: 2003-07-23, 公开日期: 2003-07-23 作者: 范广涵
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| 带有应变补偿层的半导体结构及其制备方法 专利 专利号: CN1347581A, 申请日期: 2002-05-01, 公开日期: 2002-05-01 作者: 高山彻; 马场考明; 詹姆斯S·哈里斯JR.
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| 半导体器件、半导体激光器和高电子迁移率晶体管 专利 专利号: CN1153411A, 申请日期: 1997-07-02, 公开日期: 1997-07-02 作者: 小野健一; 元田隆
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